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天津科億維(多圖)-KPEL-M系列低電壓高電流直流電子負(fù)載

【介紹老化房電子負(fù)載的特點(diǎn)】

在電路中，負(fù)載是指用來吸收電源供應(yīng)器輸出的電能量的裝置，它將電源供應(yīng)器輸出的電能量吸收并轉(zhuǎn)化為其他形式的能量儲(chǔ)存或消耗掉。我們通常采用電阻、電容、電感等或它們的串并聯(lián)組合，作為負(fù)載模擬真實(shí)的負(fù)載情況；進(jìn)行電源設(shè)備的性能實(shí)驗(yàn)。

電子負(fù)載是利用電子元件吸收電能并將其消耗的一種負(fù)載。電子元件一般為功率場效應(yīng)管（PowerMOS）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率半導(dǎo)體器件。

由于采用了功率半導(dǎo)體器件替代電阻等作為電能消耗的載體，使得負(fù)載的調(diào)節(jié)和控制易于實(shí)現(xiàn)，能達(dá)到很高的調(diào)節(jié)精度和穩(wěn)定性。同時(shí)通過靈活多樣的調(diào)節(jié)和控制方法，不僅可以模擬實(shí)際的負(fù)載情況，還可以模擬一些特殊的負(fù)載波形曲線，測試電源設(shè)備的動(dòng)態(tài)和瞬態(tài)特性。這是電阻等負(fù)載形式所無法實(shí)現(xiàn)的。

通常如果被測的直流電源的功率較大，而單個(gè)的電子負(fù)載沒有足夠的功率，我們可能會(huì)希望將多個(gè)電子負(fù)載進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)來擴(kuò)展電子負(fù)載的功率。如果是電流不夠，我們可以通過將多臺(tái)電子負(fù)載并聯(lián)起來，但如果電壓不夠，是否也可以使用幾臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)行串聯(lián)呢？

如果你這樣做，估計(jì)你不但不能夠?qū)崿F(xiàn)你的測試目的，更可能得到的結(jié)局是損壞電子負(fù)載。

接下來我們就一起分析這是為什么？當(dāng)然，我們必須事先了解電子負(fù)載是如何工作的，這個(gè)在之前的博客文章中有介紹。電子負(fù)載是通過控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場效應(yīng)管RDS，似乎將多臺(tái)電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒有什么大問題。如圖2所示，假如我們將兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC 模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺(tái)實(shí)際為9.99A，而另外一臺(tái)為10.01A。這樣一來，電子負(fù)載 2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過壓損壞。

也有人建議兩臺(tái)電子負(fù)載分別工作于恒流CC模式和恒壓CV模式，而且這似乎可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定電壓、電流點(diǎn)的工作狀態(tài)。但是如何讓這兩臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)入到設(shè)定的CC及CV工作點(diǎn)？

假設(shè)我們先設(shè)定好電子負(fù)載，然后再將負(fù)載連接到被測電源，設(shè)定于CC模式的電子負(fù)載因?yàn)闆]有任何電流，因此將FET的RDS設(shè)置為0（短路）；而設(shè)定于CV模式的電子負(fù)載因?yàn)闆]有任何電壓，將FET的RDS 設(shè)置為+∞（開路）。所以在電源接入的瞬間，電源上的所有電壓100V都加載到CV模式的負(fù)載上，就可能損壞。

有一種折中的方法，通過調(diào)節(jié)直流電源的上電電壓斜率，讓被測的電源慢慢的抬升其輸出電壓（需要被測電源具備這樣的能力），這樣有可能讓這兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載進(jìn)入設(shè)定的工作點(diǎn)。

即使這樣，如果在工作過程中出現(xiàn)任何異常，觸發(fā)電子負(fù)載的保護(hù)，兩臺(tái)電子負(fù)載分別會(huì)進(jìn)入短路或開路的情況，依然會(huì)導(dǎo)致電源的電壓100V加載到電子負(fù)載輸入端的情況，損壞電子負(fù)載。